企业简介
无锡中微晶园电子有限公司 main business:集成电子研究、开发 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 信息产业科技园Ａ座二层２０３室.
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无锡中微晶园电子有限公司的工商信息
- 320213000005400
- 91320214759698168Q
- 在业
- 有限责任公司
- 2004年03月19日
- 肖志强
- 1196万元人民币
- 2004年03月19日 至 2024年03月18日
- 无锡市新吴区市场监督管理局
- 2017年01月10日
- 无锡市新区信息产业科技园A座二层203室
- 集成电子研究、开发、生产和集成电路芯片的生产，加工；提供技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务；自营和代理各类商品及技术的进出口业务（国家限定企业经营或禁止进出口的商品及技术除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
无锡中微晶园电子有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 无锡中微晶园电子有限公司 | http://www.jysmc.net/Html/index.asp |
| 网站 | 无锡中微晶园电子有限公司 | http://www.jysmc.net |
无锡中微晶园电子有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 5279101 |  |
KI | 2006-04-11 | 密码磁卡；智能卡(集成电路卡)；钱点数和分检机；投币起动的音乐装置(自动电唱机)；出租车计价器；集成电路；集成电路块；半导体器件；报警器；电锁 | 查看详情 |
无锡中微晶园电子有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103681479B | 提高多层布线通孔光刻工艺容宽的方法 | 2017.02.08 | 本发明涉及一种提高多层布线通孔光刻工艺容宽的方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）根据圆片上高、低 |
| 2 | CN103681242B | 硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺 | 2017.01.18 | 本发明涉及一种硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺，其特征是，采用以下工艺步骤：（1）在硅基片表面溅射生长4 |
| 3 | CN205692679U | 片上螺旋变压器器件结构 | 2016.11.16 | 本实用新型提供一种片上螺旋变压器器件结构，所述器件由若干个器件单元体并联而成，其特征在于：所述器件单 |
| 4 | CN103700648B | 用于高温电路的金属互连结构及制备方法 | 2016.09.07 | 本发明涉及一种用于高温电路的金属互连结构及制备方法，其包括衬底及、场氧层、多晶硅栅结构、有绝缘介质层 |
| 5 | CN105869827A | 一种包含有金属、聚酰亚胺及阻挡层结构的器件单元体及制作方法 | 2016.08.17 | 本发明提供一种包含有金属、聚酰亚胺及阻挡层结构的器件单元体及制作方法，所述器件单元体包括衬底、绝缘氧 |
| 6 | CN103681243B | 用于改善SOI衬底表面损伤的方法 | 2016.06.15 | 本发明涉及一种用于改善SOI衬底表面损伤的方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）在SOI衬底上表面 |
| 7 | CN103681899B | 提高感光密度的光敏器件及其制造方法 | 2016.05.04 | 本发明涉及一种提高感光密度的光敏器件及其制造方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）提供衬底，在衬底 |
| 8 | CN102496566B | 用于SONOS存储芯片批产工艺中的存储管多晶刻蚀方法 | 2014.08.06 | 本发明涉及一种用于SONOS存储芯片批产工艺中的存储管多晶刻蚀方法，其包括如下步骤：a、提供衬底，形 |
| 9 | CN103700586A | 提高背面注入杂质激活率的方法 | 2014.04.02 | 本发明涉及一种提高背面注入杂质激活率的方法，其特征是，包括以下步骤：（1）将芯片放入常规快速热处理设 |
| 10 | CN103700648A | 用于高温电路的金属互连结构及制备方法 | 2014.04.02 | 本发明涉及一种用于高温电路的金属互连结构及制备方法，其包括衬底及、场氧层、多晶硅栅结构、有绝缘介质层 |
| 11 | CN103681288A | 高可靠性的低温栅氧化层生长工艺 | 2014.03.26 | 本发明涉及一种高可靠性的低温栅氧化层生长工艺，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）提供表面洁净的圆片， |
| 12 | CN103681899A | 提高感光密度的光敏器件及其制造方法 | 2014.03.26 | 本发明涉及一种提高感光密度的光敏器件及其制造方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）提供衬底，在衬底 |
| 13 | CN103681881A | 高可靠可堆叠高速SOI二极管 | 2014.03.26 | 本发明涉及一种高可靠可堆叠高速SOI二极管，包括SOI基底；其特征是：在所述SOI基底上部Si层设置 |
| 14 | CN103681243A | 用于改善SOI衬底表面损伤的方法 | 2014.03.26 | 本发明涉及一种用于改善SOI衬底表面损伤的方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）在SOI衬底上表面 |
| 15 | CN103681242A | 硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺 | 2014.03.26 | 本发明涉及一种硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺，其特征是，采用以下工艺步骤：（1）在硅基片表面溅射生长4 |
| 16 | CN103681241A | 可改善氧化层质量的清洗方法 | 2014.03.26 | 本发明涉及一种可改善氧化层质量的清洗方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）将氧化层生长工艺前的硅片 |
| 17 | CN103681479A | 提高多层布线通孔光刻工艺容宽的方法 | 2014.03.26 | 本发明涉及一种提高多层布线通孔光刻工艺容宽的方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）根据圆片上高、低 |
| 18 | CN102403210B | 预非晶化注入的高温Ti自对准硅化物工艺 | 2013.07.31 | 本发明涉及一种预非晶化注入的高温Ti自对准硅化物工艺，其包括如下步骤：a、提供衬底，并在衬底上形成栅 |
| 19 | CN102403200B | I线光刻机用双次光刻法实现0.18μm线宽图形的方法 | 2013.06.26 | 本发明涉及一种I线光刻机用双次光刻法实现0.18μm线宽图形的方法，其包括如下步骤：a、第一次光刻： |
| 20 | CN102253601B | 提高7350光刻胶热稳定性的方法 | 2013.04.24 | 本发明涉及一种提高7350光刻胶热稳定性的方法，其包括如下步骤：a、第一次UV坚膜：将带有7350光 |
| 21 | CN102260860B | 一种SONOS结构中氮化硅的生长工艺 | 2013.04.24 | 本发明涉及一种SONOS结构中氮化硅的生长工艺，其包括如下步骤：a、提供圆片，并放入LPCVD炉管内 |
| 22 | CN102097299B | 厚多晶电阻的饱和掺杂工艺 | 2012.11.07 | 本发明涉及一种厚多晶电阻的饱和掺杂工艺，其包括如下步骤：a、提供衬底，衬底上设置有相应氧化物结构；b |
| 23 | CN102097312B | 一种ONO电容结构的生长工艺 | 2012.08.29 | 本发明涉及一种ONO电容结构的生长工艺，包括如下步骤：a、提供半导体基板；b、在半导体基板上，通过干 |
| 24 | CN102097311B | 一种平坦化方法 | 2012.08.29 | 本发明涉及一种平坦化方法，其包括如下步骤：a、提供衬底，衬底上设置底层金属连线；b、淀积绝缘介质层； |
| 25 | CN102140645B | 一种硅片激光打标后的清洗工艺 | 2012.07.11 | 本发明涉及一种硅片激光打标后的清洗工艺，其包括如下步骤：a、将激光打标后的硅片放置在所由HF溶液和水 |
| 26 | CN102097303B | 一种用于厚金属的光刻工艺 | 2012.06.20 | 本发明涉及一种用于厚金属的光刻工艺，其包括如下步骤：a、在衬底上多次均匀淀积金属材料，使在衬底上形成 |
| 27 | CN102496566A | 用于SONOS存储芯片批产工艺中的存储管多晶刻蚀方法 | 2012.06.13 | 本发明涉及一种用于SONOS存储芯片批产工艺中的存储管多晶刻蚀方法，其包括如下步骤：a、提供衬底，形 |
| 28 | CN102110593B | 一种提高多晶硅薄膜电阻稳定性的方法 | 2012.05.09 | 本发明涉及一种提高多晶硅薄膜电阻稳定性的方法，其包括如下步骤：a、在多晶硅淀积舟的插槽内间隔安装假片 |
| 29 | CN102403210A | 预非晶化注入的高温Ti自对准硅化物工艺 | 2012.04.04 | 本发明涉及一种预非晶化注入的高温Ti自对准硅化物工艺，其包括如下步骤：a、提供衬底，并在衬底上形成栅 |
| 30 | CN102403200A | I线光刻机用双次光刻法实现0.18μm线宽图形的方法 | 2012.04.04 | 本发明涉及一种I线光刻机用双次光刻法实现0.18μm线宽图形的方法，其包括如下步骤：a、第一次光刻： |
| 31 | CN101887883B | 一种MTM反熔丝单元结构及其制备方法 | 2011.12.07 | 本发明涉及一种MTM反熔丝单元结构及其制备方法，其包括衬底及位于衬底上的绝缘支撑层；所述绝缘支撑层上 |
| 32 | CN102270578A | 掺杂衬底上的超薄SiO<sub>2</sub>生长工艺 | 2011.12.07 | 本发明涉及一种掺杂衬底上的超薄SiO2生长工艺，其包括如下步骤：a、提供需要生长超薄SiO2层的半导 |
| 33 | CN102260860A | 一种SONOS结构中氮化硅的生长工艺 | 2011.11.30 | 本发明涉及一种SONOS结构中氮化硅的生长工艺，其包括如下步骤：a、提供圆片，并放入LPCVD炉管内 |
| 34 | CN102254941A | 多晶发射极三极管结构及其制备工艺 | 2011.11.23 | 本发明涉及一种多晶发射极三极管结构及其制备工艺，其在半导体三极管的截面上，第一导电类型外延层内的上部 |
| 35 | CN102253601A | 提高7350光刻胶热稳定性的方法 | 2011.11.23 | 本发明涉及一种提高7350光刻胶热稳定性的方法，其包括如下步骤：a、第一次UV坚膜：将带有7350光 |
| 36 | CN101740569B | 一种基于SOI基底的反熔丝单元结构及制备工艺 | 2011.11.09 | 本发明涉及一种基于SOI基底的反熔丝单元结构及制备工艺，其包括体硅衬底及位于体硅衬底上的二氧化硅埋层 |
| 37 | CN101740428B | 用于铜丝键合的金属压焊块厚铝工艺 | 2011.09.07 | 本发明涉及一种集成电路的生产方法，具体地说是一种用于铜丝键合的金属压焊块厚铝工艺，本发明可以解决芯片 |
| 38 | CN102140645A | 一种硅片激光打标后的清洗工艺 | 2011.08.03 | 本发明涉及一种硅片激光打标后的清洗工艺，其包括如下步骤：a、将激光打标后的硅片放置在所由HF溶液和水 |
| 39 | CN102110593A | 一种提高多晶硅薄膜电阻稳定性的方法 | 2011.06.29 | 本发明涉及一种提高多晶硅薄膜电阻稳定性的方法，其包括如下步骤：a、在多晶硅淀积舟的插槽内间隔安装假片 |
| 40 | CN102104017A | 一种CMOS有源区隔离工艺 | 2011.06.22 | 本发明涉及一种CMOS有源区隔离工艺，其包括如下步骤：a、提供第一导电类型衬底，并形成第二导电类型阱 |
| 41 | CN102097299A | 厚多晶电阻的饱和掺杂工艺 | 2011.06.15 | 本发明涉及一种厚多晶电阻的饱和掺杂工艺，其包括如下步骤：a、提供衬底，衬底上设置有相应氧化物结构；b |
| 42 | CN102097312A | 一种ONO电容结构的生长工艺 | 2011.06.15 | 本发明涉及一种ONO电容结构的生长工艺，包括如下步骤：a、提供半导体基板；b、在半导体基板上，通过干 |
| 43 | CN102097311A | 一种平坦化方法 | 2011.06.15 | 本发明涉及一种平坦化方法，其包括如下步骤：a、提供衬底，衬底上设置底层金属连线；b、淀积绝缘介质层； |
| 44 | CN102097303A | 一种用于厚金属的光刻工艺 | 2011.06.15 | 本发明涉及一种用于厚金属的光刻工艺，其包括如下步骤：a、在衬底上多次均匀淀积金属材料，使在衬底上形成 |
| 45 | CN102082112A | 深硅隔离槽形成方法 | 2011.06.01 | 本发明涉及一种5μm深硅隔离槽形成方法，其包括如下步骤：a、提供衬底及位于衬底上的掩蔽层；b、在所述 |
| 46 | CN101887883A | 一种MTM反熔丝单元结构及其制备方法 | 2010.11.17 | 本发明涉及一种MTM反熔丝单元结构及其制备方法，其包括衬底及位于衬底上的绝缘支撑层；所述绝缘支撑层上 |
| 47 | CN101826451A | 一种超薄氧化层生长前清洗工艺 | 2010.09.08 | 本发明涉及一种清洗工艺，尤其是一种超薄氧化层生长前清洗工艺。所述工艺包括如下步骤：(a)将硅片放置在 |
| 48 | CN101740569A | 一种基于SOI基底的反熔丝单元结构及制备工艺 | 2010.06.16 | 本发明涉及一种基于SOI基底的反熔丝单元结构及制备工艺，其包括体硅衬底及位于体硅衬底上的二氧化硅埋层 |
| 49 | CN101740491A | 一种用于厚铝制程的金属熔丝电阻减薄工艺 | 2010.06.16 | 本发明涉及一种用于厚铝制程的金属熔丝电阻减薄工艺。所述工艺包括步骤一、通过注入和推结在硅片内形成阱区 |
| 50 | CN101740428A | 用于铜丝键合的金属压焊块厚铝工艺 | 2010.06.16 | 本发明涉及一种本发明涉及集成电路的生产方法，具体地说是一种用于铜丝键合的金属压焊块厚铝工艺，本发明可 |
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